失效案例分析EOS靜電擊穿

時(shí)間：2020-04-03作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：179

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 疫情捐助百萬(wàn)探針臺(tái)無(wú)償捐贈(zèng)湖北

  疫情當(dāng)下，中國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展將受到短暫的影響。儀準(zhǔn)科技心系國(guó)家，將愛(ài)傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬(wàn)的探針臺(tái)。 援助方案分兩部分，總****過(guò)100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品（5臺(tái)）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺(tái)主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• 芯片開(kāi)封方式

  芯片封裝如何去除？---芯片開(kāi)封介紹 芯片開(kāi)封也就是給芯片做外科手術(shù)，通過(guò)開(kāi)封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開(kāi)封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開(kāi)封的含義：Decap即開(kāi)封，也稱開(kāi)蓋，開(kāi)帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來(lái)，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)

• IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室

  [封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來(lái)越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片，如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過(guò)高，使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過(guò)不同種類芯片及封裝顆粒之間的