詞條
詞條說(shuō)明
樣品托 · 標(biāo)準(zhǔn)多功能樣品托,以*特方式直接安裝到樣品臺(tái)上,可容納18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品托架(φ12mm)、3個(gè)預(yù)傾斜樣品托、 2個(gè)垂直和2個(gè)預(yù)傾斜側(cè)排托架*(38°和90°),樣品安裝 *工具 · 每個(gè)可選的側(cè)排托架可容納6個(gè)S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI(s 7)、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo) · 可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖,分別顯示不同束圖像和/或信號(hào), 真彩信
金相試樣制備及常見(jiàn)問(wèn)題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法,一般用來(lái)進(jìn)行失效分析(FA)、質(zhì)量控制(QC)、研發(fā)(RD)等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實(shí)的組織結(jié)構(gòu),需要通過(guò)不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來(lái)說(shuō),金相試樣制備的方法有:機(jī)械法(傳統(tǒng)意義上的機(jī)械制備--磨拋)、電解法(電解拋光和浸蝕)、化學(xué)法(化學(xué)浸蝕)、化學(xué)機(jī)械法(化學(xué)作用和機(jī)械作用同時(shí)去除材料)。 金相試樣制備的
白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見(jiàn)的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來(lái),在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū),認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)(laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采
[封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來(lái)越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相,這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過(guò)高,使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過(guò)不同種類芯片及封裝顆粒之間的
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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