詞條
詞條說(shuō)明
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便更快更準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
微量元素含量測(cè)試方法 近年來(lái),元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*,常見(jiàn)的測(cè)試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子發(fā)射光譜(AES) 原子發(fā)射光譜
畢業(yè)季臨近,一大批高校學(xué)子將 走出校園,踏入全新的科創(chuàng)生涯 特殊時(shí)期,困難攔不住研學(xué)實(shí)習(xí)的腳步 芯學(xué)院全新業(yè)務(wù)“企業(yè)認(rèn)知實(shí)習(xí)”正在進(jìn)行中 首站云端實(shí)習(xí)聯(lián)合北京工業(yè)大學(xué) 為莘莘學(xué)子提供線上實(shí)習(xí)寶貴機(jī)會(huì) 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)檢驗(yàn)中心的參觀過(guò)程中,講解員首先向同學(xué)們介紹了兩臺(tái)高低溫實(shí)驗(yàn)箱和一臺(tái)激光開封機(jī),然后在高潔凈空間實(shí)驗(yàn)室中依次介紹了探針臺(tái)、IV曲線測(cè)試儀、EMMI(微光顯微鏡)、芯片切割制樣設(shè)備、
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
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微 信: 13488683602
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀