中國集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況

時(shí)間：2020-03-27作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：155

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  詞條說明

• 芯片失效分析方法匯總

  失效分析（FA）是一門發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。其方法分為有損分析，無損分析，物理分析，化學(xué)分析等 失效分析的意義：分析機(jī)械零器件失效原因，為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險(xiǎn)業(yè)務(wù)

• 金相試樣制備及常見問題

  金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法，一般用來進(jìn)行失效分析（FA）、質(zhì)量控制（QC）、研發(fā)（RD）等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實(shí)的組織結(jié)構(gòu)，需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說，金相試樣制備的方法有：機(jī)械法（傳統(tǒng)意義上的機(jī)械制備--磨拋）、電解法（電解拋光和浸蝕）、化學(xué)法（化學(xué)浸蝕）、化學(xué)機(jī)械法（化學(xué)作用和機(jī)械作用同時(shí)去除材料）。 金相試樣制備的

• 芯片測試前期準(zhǔn)備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時(shí)需要準(zhǔn)備

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改