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時間：2020-07-10

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
失效分析的作用
失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因，采取有效措施，使同類失效事故不再重復發(fā)生，可避免較大的經(jīng)濟損失和人員傷亡； 2、促進科學技術的發(fā)展 a. 19世紀工業(yè)革命，蒸汽機的使用促進鐵路運輸，但連續(xù)發(fā)生多起因火車軸斷裂，列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗研究表明：裂紋均從輪座內(nèi)緣尖角處開始。認識到：金屬在交變應力下，即使應力遠**金屬的抗拉強度，經(jīng)一定循環(huán)積累，也會發(fā)生斷裂，即“疲勞”
熱插拔帶來的EOS損壞
熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
半導體分析樣品制備
失效分析樣品準備：失效分析趙工半導體元器件失效分析可靠性測試 1月6日失效分析樣品準備：失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對于量產(chǎn)樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因為失效分析設備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備，因此借用外力，使用對