掃描電鏡（SEM）

時(shí)間：2020-05-07作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：135

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• 詞條

  詞條說明

• 樣品失效分析具體操作

  1.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。判斷失效的模式，查找失效原因和機(jī)理，提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析。 1.2 失效和事故 失效與事故是緊密相關(guān)的兩個(gè)范疇，事故強(qiáng)調(diào)的是后果，即造成的損失和危害，而失效強(qiáng)調(diào)的是機(jī)械產(chǎn)品本身的功能狀態(tài)。失效和事故常常有一定的因果關(guān)系，但兩者沒有必然的聯(lián)系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反義詞。機(jī)電產(chǎn)品的可靠度R(t）是指時(shí)間

• 聚焦離子束顯微鏡科普

  聚焦離子束顯微鏡科普 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品