晶圓代工迎來(lái)新的黃金期

時(shí)間：2020-04-29作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：135

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 芯片分析方法

  1.OM 顯微鏡觀測(cè)，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接，開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來(lái)分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對(duì)于晶體材料，樣品會(huì)引起入射電子束的衍射，會(huì)產(chǎn)生；對(duì)于TEM分析來(lái)說(shuō)*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE

• FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

  FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，

• 失效分析簡(jiǎn)介

  電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過(guò)分析確定失效機(jī)理，找出失效原因，反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用，共同研究和實(shí)施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失