不可思議的芯片技術(shù)

時間：2020-04-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

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聚焦離子束FIB
聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改
聚焦離子束顯微鏡科普
聚焦離子束顯微鏡科普 1.引言隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理聚焦離子束(ed
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片失效分析流程
典型失效分析流程失效分析一、失效分析簡述失效分析是一門新興發(fā)展中的學科，在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進，產(chǎn)品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。二、開展失效分析的意義失效分析對產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義，失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個階段，涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加工組裝、測試篩選、客戶端使用等各個環(huán)節(jié)，通過分析工藝廢次品、早期失效、試驗失效、中試失效以及現(xiàn)場失效的樣