封裝點膠工藝的改進半導體技術(shù)公益課堂

時間：2020-04-12

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
芯片測試前期準備
失效分析樣品準備：失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對于量產(chǎn)樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因為失效分析設備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備，因此借用外力，使用對外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備
無損檢測科普
無損檢測分析工程檢查/無損檢測無損檢測是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下，對被檢驗部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進行檢查的一種測試手段。無損檢測方法常用的無損檢測方法有：X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。無損檢測目地通過對產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進行檢測對產(chǎn)品從以下方面進行改進。 1、改進制造工藝； 2、降低制造成本； 3、提高產(chǎn)品的可靠性； 4
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片分析方法
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性