選擇使用IGBT要考慮哪些因素

時(shí)間：2023-10-31作者：深圳市寶安區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：978

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 回收三菱IGBT的原理

  方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低

• 回收要求

  1、原裝正宗，仿的免談； 2、全新帶包裝的（如沒(méi)有包裝請(qǐng)說(shuō)明）； 3、價(jià)格要合理，爭(zhēng)取長(zhǎng)期合作。

• 為什么要回收三菱IGBT

  IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一

• 回收優(yōu)勢(shì)

  擁有強(qiáng)大的回收隊(duì)伍，超高的回收價(jià)格，在行業(yè)領(lǐng)先，報(bào)價(jià)快，講信用，交易靈活。