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IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
電力電子變頻器是將交流電源轉(zhuǎn)換為可調(diào)頻率和可調(diào)幅度的交流電源的裝置。使用富士IGBT作為電力電子變頻器的主要功率開關(guān)器件具有以下作用:高效能轉(zhuǎn)換:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降和低開關(guān)損耗的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,從而提高電力電子變頻器的效率。這有助于減少能源消耗和發(fā)熱,并降低系統(tǒng)運行成本。高頻操作:電力電子變頻器通常需要在高頻范圍進行操作,而富士IGBT具有快速的開關(guān)速度和較高的工作頻率,可以滿
(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;(3)IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;(4)在焊接作業(yè)時,設(shè)備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。上述就是為你介紹的有關(guān)IGBT使用注意事項的內(nèi)容,對此
富士IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,具有以下優(yōu)勢特點:高功率密度:富士IGBT具有良好的導(dǎo)通和關(guān)斷特性,可以實現(xiàn)高功率輸出,有助于減小器件尺寸和重量。低導(dǎo)通壓降:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降,使其在開關(guān)狀態(tài)下具有較低的能耗和功率損耗,有助于提高器件和系統(tǒng)的效率??焖匍_關(guān)速度:富士IGBT的開關(guān)速度較快,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,有助于減小開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)響應(yīng)速度??煽啃愿撸焊皇縄GBT采用高質(zhì)量的材料
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
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