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電力電子變頻器使用富士IGBT的作用


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  • 一文讀懂IGBT模塊特點及技術發(fā)展趨勢

    IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術

  • 回收全新IGBT

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  • 怎么正確使用西門子觸摸屏

    要正確使用西門子觸摸屏,可以按照以下步驟進行:熟悉觸摸屏界面:先了解觸摸屏的界面布局和操作方式。熟悉主界面、菜單、按鈕、輸入框等元素的功能和位置,掌握界面導航的方法。啟動觸摸屏:按下觸摸屏上的電源按鈕,等待觸摸屏啟動。啟動完成后,進入主界面。導航操作:使用手指或特制的觸摸筆,輕觸觸摸屏上的菜單和按鈕,選擇需要的操作。通過滑動手指或觸摸筆,實現(xiàn)頁面的滾動或切換。參數(shù)設置:根據(jù)具體的應用需求,進入相應

  • 【回收富士IGBT】IGBT的靜態(tài)特性

    IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水

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