詞條
詞條說(shuō)明
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
以下因素可能會(huì)影響西門(mén)子觸摸屏的使用年限:環(huán)境條件:觸摸屏工作環(huán)境的溫度、濕度、震動(dòng)等條件都會(huì)對(duì)其壽命產(chǎn)生影響。如果觸摸屏長(zhǎng)時(shí)間處于高溫、高濕度或強(qiáng)震動(dòng)的環(huán)境中,可能導(dǎo)致其電子元件老化、連接松動(dòng)或損壞,進(jìn)而降低使用壽命。使用頻率:觸摸屏的使用頻率也是影響其壽命的因素之一。頻繁的觸摸和操作可能導(dǎo)致觸摸屏中觸摸部件的磨損加劇,如觸摸屏玻璃面板的劃痕和磨損。維護(hù)與保養(yǎng):定期的維護(hù)和保養(yǎng)可以延長(zhǎng)觸摸屏的使
本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個(gè)人剩余IGBT模塊,回收項(xiàng)目多余IGBT,回收全新IGBT,收購(gòu)全部型號(hào)IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故
1、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機(jī)加濕。2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。3、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時(shí)不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。上述就是為你介紹的有關(guān)IG
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