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時間：2020-08-18

作者：深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行

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詞條
詞條說明
選擇使用IGBT要考慮哪些因素
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素：電流和電壓要求：根據應用需求確定所需的電流和電壓等級，確保選用的IGBT能夠承受和適應工作條件下的電流和電壓。開關速度：根據應用需要確定所需的開關頻率和響應時間，選擇具有恰當開關速度的IGBT，以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作，并滿足快速響應的要求。功率損耗：考慮IGBT的導通和開關損耗，以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導通和開關損耗的I
為什么要回收三菱IGBT
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
回收三菱IGBT發(fā)展趨勢
發(fā)展趨勢1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。2、U-IGBTU（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，制造相同
【回收富士IGBT】IGBT的靜態(tài)特性
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水