一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢

時間：2020-08-10作者：深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行瀏覽：2737

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• 回收英飛凌IGBT

  IGBT 的驅(qū)動和保護(hù)進(jìn)行了分析，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，得出了如下幾點(diǎn)結(jié)論：1. 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大影響。設(shè)計時應(yīng)綜合考慮。2. 在大電感負(fù)載下，IGBT 的開關(guān)時間不能太短，以限制出 di/dt 形成的尖峰電壓，確保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合，故驅(qū)動電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離，驅(qū)動電路與 IGB

• 【回收英飛凌IGBT】影響IGBT可靠性因素

  1）柵電壓IGBT工作時，必須有正向柵電壓，常用的柵驅(qū)動電壓值為15～187，最高用到20V， 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系，在設(shè)計IGBT驅(qū)動電路時， 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值，設(shè)計合適驅(qū)動參數(shù)，保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也越小。2）Miller效應(yīng)為了降低Miller效應(yīng)的影響，在IGBT柵

• 為什么要回收三菱IGBT

  IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一

• 西門子觸摸屏的工作原理是什么

  西門子觸摸屏的工作原理可以簡述如下：?西門子觸摸屏采用電容式觸摸技術(shù)，其工作原理基于電容傳感器。觸摸屏表面覆蓋了一層透明的導(dǎo)電材料，例如玻璃或塑料，并涂有一層導(dǎo)電涂層。當(dāng)用戶用手指或觸摸筆觸摸屏表面時，電容傳感器會感知到接觸點(diǎn)并測量電容變化。?電容式觸摸屏通過在觸摸屏面板兩個坐標(biāo)軸上分布的一系列傳感器陣列來獲取觸摸位置。這些傳感器以周期性方式發(fā)送電荷到觸摸屏表面，形成電場。當(dāng)用