氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿(mǎn)足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)

時(shí)間：2023-04-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：143

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶(hù)在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• 上海伯東美國(guó) HVA 真空閥門(mén)在真空退火爐中的應(yīng)用

  真空退火爐主要適用于不銹鋼拉深件如水暖器材/ 水脹件/ 醫(yī)療器械/ 不銹鋼釘/ 不銹鋼鏍絲/ 壓鉚件/ 不銹鋼軸承/ 表殼/ 表帶/ / 微型軸/ 自攻自鉆/ 餐具等不銹鋼制品在保護(hù)氣氛控制下進(jìn)行連續(xù)光亮退火/ 固溶/ 退磁及不銹鋼淬火處理的多用爐.??處理后產(chǎn)品表面光潔, 不氧化, 不脫碳. 具有生產(chǎn)效, 能耗低, 污染少, 操作使用方便, 勞動(dòng)強(qiáng)度低等優(yōu)點(diǎn).也可供金屬材料釬

• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來(lái)刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,

• 上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

  半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻