美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應(yīng)用

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：91

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• 氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足第三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)

  氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, 核心產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• 上海伯東 HVA 真空插板閥應(yīng)用于半導(dǎo)體管道中

  因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準(zhǔn)。美國 HVA?真空插板閥在半導(dǎo)體管道中的應(yīng)用半導(dǎo)體后端工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(tǒng) ( 真空管路 ) 的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩(wěn)定的供應(yīng)到工藝設(shè)備內(nèi). 上海伯東美國 HVA?插板閥廣泛用于高真空或**高真空的氣體輸送環(huán)節(jié),

• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)