【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：275

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰

• 【二極管模塊】二極管的工作原理

  二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電

• 【德國西門康可控硅】可控硅結(jié)構(gòu)

  可控硅結(jié)構(gòu)大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基

• 整流橋模塊

  整流橋是橋式整流電路的實(shí)物產(chǎn)品，那么實(shí)物產(chǎn)品該如何接線到實(shí)際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設(shè)計(jì)接線圖的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了，那么在實(shí)際應(yīng)用過程中只需要，對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種，一個是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負(fù)極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式，