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測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)
整流橋是橋式整流電路的實物產(chǎn)品,那么實物產(chǎn)品該如何接線到實際電路中呢?一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明,工程設(shè)計接線圖的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了,那么在實際應(yīng)用過程中只需要,對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個是實物產(chǎn)品與電路圖的對應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,
熔斷器俗稱保險絲或保險管。早的保險絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明,由于當時的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達白熾燈很貴重,所以,初是將它用保險絲來保護價格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護電子設(shè)備不受過電流的傷害,也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴重傷害。因此,每個熔斷器上皆有額定規(guī)格,當電流**過額定規(guī)格時保險絲將會熔斷。當介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標準規(guī)定的額定分斷能力(的電流)之間的電流作用于熔斷器時,熔斷器應(yīng)能滿意地工作
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔,反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反
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