熔斷器的主要作用是什么？

時(shí)間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：637

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• 英飛凌IGBT模塊檢測方法

  英飛凌IGBT模塊檢測方法 ：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 【可控硅模塊】測試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

  測試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì)，溫度計(jì)測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高，溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)

• 【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

  可控硅模塊特點(diǎn)1、整流結(jié)構(gòu)**采用**出口變壓器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機(jī)體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動(dòng)穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動(dòng)電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)等良好控制功能，并可通過接口實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制，是目前**的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長。3、工作

• 【二極管模塊】二極管的檢測方法

  小功率晶體二極管1.?判別正、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。（2）觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上，通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。（3）以阻值較小的一次測量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察