【可控硅模塊】測試可控硅模塊的升溫3個方法

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：409

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管

  全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克（Infineon）、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、驅動電路、M

• 晶閘管工作原理_晶閘管和可控硅的區(qū)別

  晶閘管（Thyristor）它是晶體閘管的縮寫，也被稱為硅控制整流器；晶閘管是PNPN四層半導體結構有三個較：陽極、陰極和控制較；晶閘管具有硅整流器件的特點，可在高壓、大電流條件下工作，工作過程可控制，廣泛應用于可控整流、交流壓力調節(jié)、無接觸電子開關、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中，其陽極（A）和陰極（K）晶閘管的主電路與電源和負載連接，晶閘管的門較G和陰極K連接到控制

• 二極管模塊

  雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊特點：*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷

• 可控硅模塊

  特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。2．單負導電性能