詞條
詞條說(shuō)明
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
小功率晶體二極管1.?判別正、負(fù)電極(1)觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào),帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負(fù)極。(2)觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上,通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán),帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。(3)以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn),黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1(T1),*二陽(yáng)極A2(T2)、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰
熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明,由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重,所以,初是將它用保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過電流的傷害,也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此,每個(gè)熔斷器上皆有額定規(guī)格,當(dāng)電流**過額定規(guī)格時(shí)保險(xiǎn)絲將會(huì)熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間的電流作用于熔斷器時(shí),熔斷器應(yīng)能滿意地工作
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