真空探針臺(tái)優(yōu)勢(shì)和適用于那些科研

時(shí)間：2023-10-07作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：71

鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專(zhuān)注于真空探針臺(tái),小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 高低溫探針臺(tái)-解釋塞貝克系數(shù)測(cè)量原理及系數(shù)

  塞貝克系數(shù)（Seebeck Coefficient）也稱(chēng)為熱電偶效應(yīng)或Seebeck效應(yīng)，是指兩種不同導(dǎo)體（或半導(dǎo)體）材料在一定溫差下產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。塞貝克系數(shù)是研究熱電材料（將熱能轉(zhuǎn)化為電能的材料）非常重要的一個(gè)參數(shù)，它用來(lái)衡量材料在一定溫差下產(chǎn)生的熱電壓。?塞貝克系數(shù)的測(cè)量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。準(zhǔn)備一個(gè)熱電偶，它由兩種不同材料的導(dǎo)線(xiàn)組成。然后將熱電偶的其中一個(gè)

• 氣敏測(cè)試探針臺(tái)具有哪些領(lǐng)域？

  ?微型探針臺(tái)尺寸小、重量輕，具備變溫測(cè)試及真空測(cè)試功能，適用于科研工作，也適用于與其他儀器聯(lián)用，是一款非常有特點(diǎn)的微探針系統(tǒng)。? ? ? 鄭科探真空探針臺(tái)主要應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。儀器特點(diǎn)：工作距離短、尺寸小，帶有視窗，可以

• 探針臺(tái)精準(zhǔn)控制關(guān)鍵技術(shù)研究

  集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺(tái)是晶圓測(cè)試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級(jí),所以要求探針臺(tái)要保持很高的定位精度和運(yùn)動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對(duì)針和測(cè)試。因此,本文主要研究的問(wèn)題是如何保證探針臺(tái)高精密控制,從而達(dá)到微米級(jí)定位要求。? ? ? ?本文來(lái)自于國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺(tái)兩大部分-LO

• 磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡(jiǎn)介

  磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡(jiǎn)介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動(dòng)能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用，產(chǎn)生漂移，因而導(dǎo)致傳濺射效率低，電