【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：825

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動對

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性

  IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反

• 【德國西門康可控硅】可控硅特性

  可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未**過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能**

• 【德國西門康可控硅】可控硅結(jié)構(gòu)

  可控硅結(jié)構(gòu)大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基