日系電子業(yè)全盤(pán)淪陷 全球電子業(yè)新一輪洗牌在所難免

時(shí)間：2025-09-22作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：1104

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 汕尾高壓可控硅市場(chǎng)研究報(bào)告分析

  引言：高壓可控硅的技術(shù)**與市場(chǎng)前景在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，高壓可控硅作為半導(dǎo)體功率器件家族中的關(guān)鍵成員，正日益展現(xiàn)出其**的技術(shù)**。作為一種能夠承受數(shù)千伏甚至較高電壓的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，高壓可控硅憑借其優(yōu)異的電壓耐受能力和精確的電流控制特性，已成為現(xiàn)代電力系統(tǒng)中不可或缺的**元件。從高壓直流輸電到工業(yè)電機(jī)調(diào)速，從電鍍電解到無(wú)功補(bǔ)償裝置，高壓可控硅的應(yīng)用幾乎滲透到了所有需要高電壓、

• 三星半導(dǎo)體穩(wěn)居龍頭海力士全力沖刺縮小差距

  根據(jù)TrendForce旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM廠(chǎng)積極研發(fā)，并提高行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)能，不僅可望拉抬整體獲利表現(xiàn)，亦可降低因標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)造成的虧損。**季行動(dòng)式內(nèi)存平均銷(xiāo)售單價(jià)滑落約10~15%，合約價(jià)降幅約10%，但由于出貨位元成長(zhǎng)約達(dá)20%，整體行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收較去年*四季成長(zhǎng)約37%。TrendForce表示，除三星電子市占大幅擴(kuò)大之外，其他廠(chǎng)家均受到降價(jià)影響而壓縮整

• 雙向可控硅的主要用途

  在現(xiàn)代電子科技領(lǐng)域，半導(dǎo)體功率器件扮演著*的角色。其中，雙向可控硅作為一種關(guān)鍵的電子元器件，憑借其*特的工作原理和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，成為電子電路設(shè)計(jì)中的“多面手”。本文將圍繞雙向可控硅展開(kāi)，詳細(xì)介紹其主要用途及優(yōu)勢(shì)。什么是雙向可控硅？雙向可控硅是一種半導(dǎo)體功率器件，其較大特點(diǎn)是突破了單向可控硅單向?qū)щ姷南拗啤Ｋ茉谡?、反兩個(gè)方向上控制電流的導(dǎo)通與關(guān)斷，只需在控制較施加一個(gè)合適的觸發(fā)脈沖，即可在

• 日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件

  日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件，隨后又成功對(duì)**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開(kāi)關(guān)器件和整流器件實(shí)施了技術(shù)驗(yàn)證。 研究組在高壓環(huán)境下通過(guò)采用避免電場(chǎng)集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和表面保護(hù)技術(shù)，利用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)了可