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小型金屬濺射鍍膜機(jī)優(yōu)點(diǎn)


    鄭州科探儀器設(shè)備有限公司專注于真空探針臺(tái),小型離子蒸鍍儀,小型離子濺射儀等

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    詞條說明

  • 快速退火爐系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關(guān)鍵裝備? ? ?主要用于離子注入后雜質(zhì)的、淺結(jié)制作、生長(zhǎng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對(duì)國(guó)內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用**。? ? ? 本文針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝

  • 磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    ?針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6 Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)

  • 恭喜鄭科探突破焦耳熱閃蒸新技術(shù)

    焦耳熱閃蒸技術(shù),用于將含碳的廢料轉(zhuǎn)化為石墨烯材料。原理是利用**高溫環(huán)境將高碳含量材料變?yōu)槭?。先將這些廢料被磨成粉末,然后用高壓加熱到2000℃(3680°F到4940°F)之間。為了獲得高質(zhì)量的渦輪狀閃蒸石墨烯,閃蒸時(shí)間應(yīng)保持在30~100 ms之間。這種技術(shù)是一種較便宜制造石墨烯的方法,需要的能量也少得多,并可以將生活中廢棄的塑料碎片回收利用。在這項(xiàng)新的研究中,萊斯大學(xué)的科學(xué)家們已經(jīng)通過焦耳閃

  • 基于真空探針臺(tái)的紅外焦平面自動(dòng)測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)研究

    紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國(guó)重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。? ? 由于國(guó)外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域**了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。? ? 因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)

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