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日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件,隨后又成功對**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實施了技術(shù)驗證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計和表面保護技術(shù),利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料實現(xiàn)了可
可用石墨烯實現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備大幅降溫
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)5月9日(北京時間)報道,美國加州大學(xué)河濱分校伯恩斯工程學(xué)院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù),可借助石墨烯實現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導(dǎo)體材料散熱問題。相關(guān)研究報告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。 自上世紀(jì)90年代以來,半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造,并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設(shè)備中。然而就像所有大功率操作設(shè)備一樣,氮
在現(xiàn)代電子科技領(lǐng)域,整流二極管作為基礎(chǔ)而關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,發(fā)揮著不可或缺的作用。它以其*特的單向?qū)щ娞匦?,成為各類電子設(shè)備中電能轉(zhuǎn)換與控制的**元件。本文將圍繞整流二極管這一關(guān)鍵詞,深入探討其技術(shù)特點與應(yīng)用范圍,特別聚焦于中山肖特基二極管的廣泛適用性。整流二極管的基本特性整流二極管本質(zhì)上是一個具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)基于PN結(jié)原理,當(dāng)施加正向電壓時,器件導(dǎo)通,電流順暢通過;而在反向
在現(xiàn)代電子科技領(lǐng)域,雙向可控硅作為半導(dǎo)體功率器件中的關(guān)鍵組件,以其*特的性能和廣泛的應(yīng)用場景,成為眾多電子設(shè)備中不可或缺的一部分。本文將深入探討雙向可控硅的工作原理、性能特點及其在實際應(yīng)用中的實踐案例,幫助讀者全面了解這一重要電子元件。雙向可控硅的基本原理與性能優(yōu)勢雙向可控硅是一種能夠控制交流電雙向?qū)ǖ陌雽?dǎo)體器件,它突破了傳統(tǒng)單向可控硅只能單向?qū)щ姷南拗?。通過在控制較施加一個合適的觸發(fā)脈沖,雙向
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