分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：84

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  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

  氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

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  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國 HVA?真空閘閥在氣體管路系統(tǒng)應(yīng)用半導(dǎo)體工廠, 太陽能光伏, LED, 鍍膜等行業(yè)在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(tǒng)(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩(wěn)定的供應(yīng)到工藝設(shè)備內(nèi). 美國 HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環(huán)