KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：68

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  詞條說明

• HVA 真空閥門用在氣體管路系統(tǒng)

  某半導(dǎo)體工廠在生產(chǎn)線上氣體輸送環(huán)節(jié)的氣體管路系統(tǒng)采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋

• HVA 真空閥門71000系列, 適用于苛刻的真空環(huán)境, 易于維護(hù)

  說到真空閥門, HVA 是繞不開的, HVA 真空閥門是行業(yè)的者. HVA真空閥門包含HVA 真空矩形閥、HVA 真空閘閥, 真空插板閥、HVA 真空角閥等.?在 HVA 真空閥門中 71000 系列閥門, 憑借其在 HVA 閥門中廣為人知的性和性, 使用壽命 > 250,000 cycles 啟閉次數(shù).?HVA?真空閥門?71000 系列由堅固的不繡

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• 上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

  半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻