HVA真空閥門成功應(yīng)用于粒子系統(tǒng)

時間：2024-01-11作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：64

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• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,

• KRI 離子源應(yīng)用于舞臺燈光濾光片鍍膜

  ?? 舞臺燈光雖然呈現(xiàn)是五顏六色的,?但光源一般都是白色.?通過在光源前加上特定的光學(xué)濾光片,?對光進行“加工”,?反射和透過特定的波段,?來達到不同的色彩變化.?加上顏色濾光片,?讓不同顏色的鏡片不停切換,?產(chǎn)生不同顏色.?而在光學(xué)元件或立基板上,?鍍上或涂布一層或多層介電質(zhì)膜

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo