igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

時(shí)間：2022-06-23作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：322

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 整流橋原理

  ? ? ? 整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。? ? ? 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。? ? ? 全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值(*高反向電

• igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

  igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過(guò)一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見(jiàn)原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請(qǐng)勿在接線前連接模塊；igbt模塊

• 可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?，F(xiàn)象

  可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?，F(xiàn)象在實(shí)際應(yīng)用中，可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造，但價(jià)格昂貴，儲(chǔ)存后可能無(wú)法使用。如果兩個(gè)相同的可控硅模塊背靠背連接，則可以獲得非極性電容。總電容為每個(gè)串聯(lián)電容的一半，即C/2。在連接電源的瞬間，萬(wàn)用表的表針應(yīng)具有較大的擺動(dòng)幅度?？煽毓枘K的容量越大，表針的擺動(dòng)幅度越大。擺動(dòng)后，表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電

• 可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

  可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法1.昆明二晶可控硅模塊環(huán)境溫度測(cè)量：溫度計(jì)放置在距被測(cè)硅模塊表面1.5m的溫度計(jì)中，溫度計(jì)測(cè)量點(diǎn)與減速器軸線的高度。溫度計(jì)的放置不受外部輻射熱和氣流的影響，環(huán)境溫度值和工作溫度值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊的溫升按以下公式計(jì)算公式中:δt-可控硅模塊溫升，℃。3.可控硅模塊工作溫度測(cè)量：可控硅模塊溫升測(cè)量通常與減速器的承載能力和傳動(dòng)效率測(cè)量同時(shí)進(jìn)行，也可