可控硅模塊

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：249

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

  英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 ：測(cè)試方式：用萬(wàn)用表只能測(cè)量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來(lái)，但是，若IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類(lèi)同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

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  德國(guó)西門(mén)康可控硅你了解多少可控硅又稱(chēng)晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過(guò)載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來(lái)談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡?wèn)題。一、 靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不

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• 二極管模塊應(yīng)如何選型呢？

  1、快恢復(fù)二極管模塊快恢復(fù)二極管是一種能快速?gòu)耐☉B(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合（電路接通），截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)打開(kāi)（電路切斷）。特性是開(kāi)關(guān)速度快，快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊，600V快恢復(fù)二極管模塊，1200V快恢復(fù)二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二