STM32F410CBT6 LQFP-48 32位微控制器MCU ARM單片機芯片

時間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：141

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  詞條說明

• 供應 2553DRVT-1 絲印CJZ WSON6非反相電源開關(guān)芯片 全新進口原裝

  說明 TPS255x和TPS255x-1配電開關(guān)可用于需要精確電流限制或遇到重電容負載和短路的應用，并提供高達1.5A的連續(xù)負載電流。這些設備通過一個外部電阻器提供了一個在75mA和1.7A（典型的）之間的可編程的電流限制閾值。 在較高的電流限制設置下，可以達到高達±6%的電流限制精度?？刂齐娫撮_關(guān)的升降時間，以減少轉(zhuǎn)彎和關(guān)閉期間的電流激增。 TPS255x設備在輸出負載超過電流限制閾值時，通過使

• 貼片ST3485EBDR芯片 封裝SOP-8 緩沖器和線路驅(qū)動器IC

  描述ST3485E為±15kVESD保護，3.3V低功率收發(fā)器，用于RS-485和RS-422通信。該設備包含一個驅(qū)動器和一個接收器。ST3485E以至少12Mbps的保證數(shù)據(jù)速率傳輸和接收。 所有的變送器輸出和接收器輸入都使用人體模型保護到±15kV。 驅(qū)動是短路電流限制，并是防止過度散熱的熱關(guān)機電路，使驅(qū)動輸出進入高阻抗狀態(tài)。 一般特征 ■ 靜電防護 -±15kV人體模型 -±8kV IEC

• 供應 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內(nèi)存 閃存芯片

  EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM，包含256Mbit。 它在內(nèi)部配置為一個4米x 16的DRAM，帶有一個同步接口（所有信號都記錄在時鐘信號CK的正邊緣）。 數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對SDRAM的讀寫訪問是面向突發(fā)的；訪問從選定的位置開始，然后按編程順序繼續(xù)訪問編程的多個位置。 訪問首先注冊BankActivate命令，然后是讀或?qū)懨?。EM6AA16

• BSP250 貼片SOT-223 MOS場效應管 30V

  BSP250 P通道增強模式垂直D-MOS晶體管 具有高速開關(guān)，無二次故障，非常低的電阻。應用于低損耗電機和執(zhí)行器驅(qū)動器的電源開關(guān)。 描述SOT223塑料SMD封裝中的P通道增強模式垂直D-MOS晶體管。 根據(jù)絕對最大額定系統(tǒng)（IEC134）。 注1。脈沖寬度和占空比受最大結(jié)溫度的限制。 2.裝置安裝在環(huán)氧樹脂印刷電路板上，40×40×1.5mm；排水管的安裝墊至少6cm2。符號參數(shù)條件為最小值。