什么品牌的進(jìn)口晶閘管好

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：1946

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 進(jìn)口晶閘管的工作原理

  在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進(jìn)口晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門較承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有

• 【可控硅模塊】可控硅模塊分類

  可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘

• 可控硅模塊

  特性。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測(cè)其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬(wàn)用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻），一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁Ｔ谧柚递^小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2．單負(fù)導(dǎo)電性能