國芯思辰 | 里陽半導(dǎo)體可控硅LTH16-08用于電風(fēng)扇中的交流調(diào)壓器

時間：2023-03-09作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：235

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• 國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫(yī)療設(shè)備電源功率密度的提升

  在嚴(yán)格醫(yī)療要求的設(shè)備中，電源的設(shè)計電不僅要達(dá)到理想的效率，同時盡可能保持小巧緊湊，且必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求和一系列的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，旨在確保醫(yī)療電氣設(shè)備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴(yán)格的醫(yī)療設(shè)備中，B1D02065K優(yōu)越的性能和較高的工作效率是電源設(shè)計的可以選擇產(chǎn)品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的

• 國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

  隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設(shè)計者來說，功率器件的選型尤為重要。本文提到基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時也可以減小變壓器等器件的體積?；景雽?dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M0

• 基本半導(dǎo)體650V混合式碳化硅分立器件應(yīng)用于便攜儲能，效率提升0.2%-0.4%

  在低碳新時代電力市場的需求下，便攜式儲能綠色無污染、大容量、大功率，在儲能市場需求持續(xù)呈現(xiàn)上升趨勢。便攜儲能的增長趨勢得益于戶外運動的興起和的影響?，便攜式儲能電源可提供穩(wěn)定交/直流電壓輸出的電源系統(tǒng)，且適配性廣泛，其帶電量通常為0.2-2kWh，同時具有較大的輸出功率100-2200W，配有AC、DC、Type-C、USB、PD等多種接口，可以匹配市場上各類主流電子設(shè)備，為戶外運動提供

• 國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計

  在1KW PFC電源設(shè)計中，功率因數(shù)校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩(wěn)定的直流電源。在PFC功率因數(shù)校正方面如果對系統(tǒng)效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復(fù)二極管（FRD）；然而在一些要求效率較高的場合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運用需要較高的效率。本文重點提到國產(chǎn)基本半導(dǎo)體650V/10A碳化硅肖特基二較