IGBT功率模塊

時間：2022-06-22作者：江蘇芯鉆時代電子科技有限公司瀏覽：298

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• 詞條

  詞條說明

• 整流橋參數(shù)選擇

  ? ? ? 隔離式開關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡稱硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點，可廣泛用于開關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個。? ? ? &n

• 整流橋原理

  ? ? ? 整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。? ? ? 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。? ? ? 全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值(*高反向電

• igbt模塊是什么

  igbt模塊是什么igbt是Insulatedgatebipolansistor(絕緣柵雙較晶體管)的縮寫。igbt模塊價格Ig是一個由MOSFET和雙較晶體管組成的裝置。它的輸入非常MOSFET，輸出非常PNP晶體管。它融合了這兩個裝置的優(yōu)點。它不僅具有MOSFET裝置驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快的優(yōu)點，還具有雙較裝置飽和壓降、容量大的優(yōu)點。igbt模塊價格它的頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間

• igbt模塊使用中的注意事項

  igbt模塊使用中的注意事項由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點：使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，請勿在接線前連接模塊；igbt模塊