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陶瓷貼片電容的基本常識


    深圳市貝皓??萍加邢薰緦W⒂诤辖痣娮?0.5%精密電阻,0.1%精密電阻,高精密電阻,薄膜電阻,低溫漂電阻等

  • 詞條

    詞條說明

  • 電容的主要特性參數(shù)

    (1)?容量與誤差:實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有:J級±5%,K級±10%,M級±20%。 精密電容器的允許誤差較小,而電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示:D級—±0.5%;F級—±1%;G級—±2%;J級—±5%;K級—±10%;M級—±20%。 (2)?額定工作電壓:電容

  • 獨石電容、瓷片電容、陶瓷電容什么關(guān)系?

    獨石電容和瓷片電容都屬于陶瓷電容,整體構(gòu)造上看獨石電容和瓷片電容的區(qū)別是:獨石電容是多層陶瓷電容的別稱,獨石電容是由多層介質(zhì)和多對電極構(gòu)成的,而瓷片電容一般是由一層介質(zhì)和一對電極構(gòu)成的,瓷片電容分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 外觀上看獨石電容和瓷片電容的區(qū)別是:獨石電容其實是陶瓷貼片電容焊引線后燒結(jié)而成,一般是方形,而瓷片電容是片狀,大多是圓片形狀;容量和耐壓上看獨石電容和瓷片電容的區(qū)別是:同體積下

  • 薄膜電阻器與厚膜電阻器的區(qū)別

    薄膜電阻器與厚膜電阻器主要有以下兩個區(qū)別:一、膜厚的區(qū)別,厚膜電阻的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多處于小于薄膜電阻1μm;二、制造工藝的區(qū)別,厚膜電阻一般采用絲網(wǎng)印刷工藝,薄膜電阻采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區(qū)別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度較差,10%,5%,1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到0.01%萬分之一

  • 薄膜電阻材料

    理論基礎(chǔ)薄膜的形成實質(zhì)上是氣-固轉(zhuǎn)化、晶體生成的過程,它大致可以分為下面幾個主要步驟:原子或分子撞擊到固體的表面;它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間;被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴散而移動到表面上合適的格點位置并進入晶格。這些過程以及它們之間的相互關(guān)系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質(zhì)。 [1]?組織結(jié)構(gòu)一般來講,電阻薄膜中最多含有三類相位成分:絕緣相、半導體相和導電相。在現(xiàn)代

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