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詞條說明
薄膜電阻器與厚膜電阻器主要有以下兩個區(qū)別:一、膜厚的區(qū)別,厚膜電阻的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多處于小于薄膜電阻1μm;二、制造工藝的區(qū)別,厚膜電阻一般采用絲網(wǎng)印刷工藝,薄膜電阻采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區(qū)別直接導(dǎo)致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度較差,10%,5%,1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到0.01%萬分之一
理論基礎(chǔ)薄膜的形成實質(zhì)上是氣-固轉(zhuǎn)化、晶體生成的過程,它大致可以分為下面幾個主要步驟:原子或分子撞擊到固體的表面;它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間;被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴散而移動到表面上合適的格點位置并進入晶格。這些過程以及它們之間的相互關(guān)系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質(zhì)。 [1]?組織結(jié)構(gòu)一般來講,電阻薄膜中最多含有三類相位成分:絕緣相、半導(dǎo)體相和導(dǎo)電相。在現(xiàn)代
合金電阻是一種采用合金為電流介質(zhì)的電阻,一般具有低阻值,高精密,低溫度系數(shù),耐沖擊電流,大功率等特點。這類電阻常見于各類電子產(chǎn)品,主要在電流采樣,或短路保護等時使用。關(guān)于材料主流的合金電阻是貼片式合金電阻。合金的主要材料為銅,再加上其他的材料就成了康銅,錳銅等。其他輔助材料眾多,但主要性能由合金材料本身決定。合金電阻用途合金電阻由于金屬的導(dǎo)電率強,所以阻值一般較低如1毫歐,10毫歐,100毫歐等。
(1)?容量與誤差:實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有:J級±5%,K級±10%,M級±20%。 精密電容器的允許誤差較小,而電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示:D級—±0.5%;F級—±1%;G級—±2%;J級—±5%;K級—±10%;M級—±20%。 (2)?額定工作電壓:電容
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