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詞條說明
在微電子工藝中, 二氧化硅薄膜因其優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導(dǎo)體器件中, 利用二氧化硅禁帶寬度可變的特性, 可作為非晶硅太陽電池的薄膜光吸收層, 以提高光吸收效率; 還可作為金屬2氮化物2氧化物2半導(dǎo)體(MN SO ) 存儲(chǔ)器件中的電荷存儲(chǔ)層, 集成電路中CMOS 器件和SiGeMOS 器件以及薄膜晶體管(TFT ) 中的柵介質(zhì)層等。此外, 隨著大規(guī)模集成電路器件集成度的提高,
今天就帶著大家了解一下超細(xì)二氧化硅在哪些方面得到大量應(yīng)用,希望對(duì)您有所幫助。 有機(jī)顏料雖具有鮮艷的色彩和很強(qiáng)的著色力,但一般耐光、耐熱、耐溶劑和耐遷移性能往往不及無機(jī)顏料。通過添加超細(xì)二氧化硅對(duì)有機(jī)顏料進(jìn)行表面改性處理,不但使顏料抗老化性能大幅提高,而且亮度、色調(diào)和飽和度等指標(biāo)也均出現(xiàn)一定程度的提高,性能可與進(jìn)口高檔產(chǎn)品相媲美,極大地拓寬了有機(jī)顏料的檔次和應(yīng)用范圍。 用超細(xì)二氧化硅代替納米A120
化學(xué)氣相沉積(CAV)法,又稱熱解法、干法或燃燒法。其原料一般為四氯化硅、氧氣(或空氣)和氫氣,高溫下反應(yīng)而成。反應(yīng)式為:SiCl4+ 2H2+ O2—>SiO2+4HCl??諝夂蜌錃夥謩e經(jīng)過加壓、分離、冷卻脫水、硅膠干燥、除塵過濾后送入合成水解爐。將四氯化硅原料送至精餾塔精餾后,在蒸發(fā)器中加熱蒸發(fā),并以干燥、過濾后的空氣為載體,送至合成水解爐。四氯化硅在高溫下氣化(火焰溫度1000~1800℃)
今天白炭黑生產(chǎn)廠家聊城賽立科帶大家分析一下沉淀法白炭黑的表面結(jié)構(gòu)。 沉淀二氧化硅(白炭黑)表面存在著—OH。 1、相鄰羥基存在于沉淀二氧化硅(白炭黑)中,這些羥基鄰近,故以氫鍵形式彼此結(jié)合。相鄰羥基對(duì)極性武陟的吸附是十分重要的,它是比隔離羥基更有效的吸附點(diǎn)。 2、隔離羥基主要存在于脫水的表面,這種羥基本身沒有發(fā)生氫鍵,故氫院子的正電性較強(qiáng),很容易和負(fù)電子的原子如氧、氮等發(fā)生吸附,它不易升溫脫除,沉
公司名: 聊城賽立科新材料有限公司
聯(lián)系人: 王鵬宇
電 話: 0635-6058566
手 機(jī): 15224260222
微 信: 15224260222
地 址: 山東聊城茌平縣中海路1號(hào)
郵 編: 252100
網(wǎng) 址: sailike.b2b168.com
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