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無感吸收電容的主要用途無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IG
富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領(lǐng)域的高端功率器件,由全球知名半導體品牌富士電機傾力打造,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域的首選功率器件之一。作為一家專業(yè)代理國際知名品牌功率器件的企業(yè),我們深知富士IGBT模塊在市場上的重要地位,也了解客戶在選擇合適模塊時面臨的困惑。富士IGBT模塊采用先進的技術(shù)工藝,具有極低的導通壓降和開關(guān)損耗,能有效減少
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,可控硅作為一種關(guān)鍵的大功率半導體器件,憑借其高效精準的電源控制能力,成為眾多工業(yè)應(yīng)用的核心組件。英飛凌可控硅以其卓越的技術(shù)特性和廣泛的應(yīng)用場景,為各行業(yè)提供了可靠的解決方案。本文將詳細介紹英飛凌可控硅的基本原理、產(chǎn)品優(yōu)勢以及其在多個領(lǐng)域的具體用途,幫助讀者全面了解這一重要器件。英飛凌可控硅是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)大功率半導體器件。其工作原理是通過控制門極電壓來調(diào)節(jié)陽極和
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,各類*能半導體器件成為推動行業(yè)創(chuàng)新的重要力量。作為電力電子領(lǐng)域的核心器件之一,英飛凌IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)憑借其卓越的性能與廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為眾多企業(yè)和工程師的首選。那么,英飛凌IGBT究竟有哪些主要作用?它又是如何助力各行各業(yè)實現(xiàn)技術(shù)突破與能效提升的呢?要理解英飛凌IGBT的作用,首先需要了解其基本特性。IGBT是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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