可控硅的好壞如何判斷？

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：283

蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

  由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、ups、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰

• 蘇州徳昇锘科技有限公司

  蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的分銷商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專注為電焊機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供核心的半導(dǎo)體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道，百分之百的質(zhì)量保證，競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的價(jià)格，快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。代理經(jīng)營(yíng)世界各國(guó)公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要品牌括:Infineon英飛凌、

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開(kāi)發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個(gè)IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開(kāi)發(fā)品的特點(diǎn)在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流