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因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。HVA 矩形閥?Load-lock 典型應(yīng)用上海伯東某生產(chǎn)原生多晶矽料生產(chǎn)設(shè)備, 矽片加工設(shè)備, 晶體矽電池生產(chǎn)設(shè)備企業(yè), 使用美國?HVA 矩形閥用于真空機臺的 Load-lock工位, HVA 矩形閥安裝在 2X18 英寸規(guī)格內(nèi)的矽片生產(chǎn)線上, 起到輔助傳遞矽片, 隔離真空腔室的作用.矽片比較薄, 一般
國內(nèi)某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列,尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304&
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機: 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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