江蘇可控硅模塊的種類及優(yōu)缺點(diǎn)

時(shí)間：2025-10-14作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：79

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【進(jìn)口吸收電容】薄膜電容的吸收系數(shù)

  薄膜電容器是一種以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小，容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小，介電強(qiáng)度隨溫度上升有所增加，這是他的一種特點(diǎn)，這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢？這是用來(lái)形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值，我們稱之為吸收系數(shù)，這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的極化和電容器的吸收

• 英飛凌IGBT怎么選型

  引言在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心功率半導(dǎo)體器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，其IGBT產(chǎn)品線豐富多樣，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。面對(duì)如此豐富的產(chǎn)品系列，如何正確選擇適合的英飛凌IGBT型號(hào)成為工程師們面臨的重要課題。本文將系統(tǒng)介紹英飛凌IGBT的選型要點(diǎn)，幫助您做出更

• 進(jìn)口吸收電容的主要作用是什么？

  在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，電路設(shè)計(jì)面臨著越來(lái)越復(fù)雜的電磁環(huán)境和更為嚴(yán)苛的可靠性要求。進(jìn)口吸收電容作為電子電路中的關(guān)鍵保護(hù)元件，在電力電子、工業(yè)控制及高端消費(fèi)電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。本文將深入解析進(jìn)口吸收電容的核心功能、工作原理及其在不同應(yīng)用場(chǎng)景中的價(jià)值體現(xiàn)。一、進(jìn)口吸收電容的基本概念與特性進(jìn)口吸收電容是指主要來(lái)自德國(guó)、日本等電子產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)的專業(yè)電容器件，這些國(guó)家在電子元器件制造領(lǐng)域擁有悠久

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A