詞條
詞條說明
焊機的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結(jié)溫升高,停止工作時結(jié)溫降至一定值。再次工作,結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計實例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下,熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結(jié)溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負荷工作時,導(dǎo)角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點,可以達到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動對
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
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