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詞條說明
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合
整流橋模塊的作用是什么:整流橋模塊的功能,是將由交流配電單元提供的交流電,變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環(huán)控制的諧振開關(guān)電源技術(shù),具有穩(wěn)壓精度高、動態(tài)響應(yīng)快的特點。整流模塊內(nèi)置MCU,全智能控制,可實現(xiàn)單機或多機并聯(lián)運行。模塊可以帶電熱插拔,日常維護方便快捷。采用多級吸收,具有過壓、欠壓、短路、過流、過熱等自動保護及自動恢復(fù)運行功能。散熱條件的好壞,直接影響模塊的
二極管結(jié)構(gòu)組成二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。??由P區(qū)引出的電極稱為陽極,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,二極管導(dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。?[4]&nbs
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
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