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## IGBT模塊:電力電子領(lǐng)域的核心器件 IGBT模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心部件,其性能直接影響著電能轉(zhuǎn)換的效率與可靠性。這種由絕緣柵雙極型晶體管構(gòu)成的功率半導(dǎo)體器件,兼具M(jìn)OSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性,在工業(yè)變頻器、新能源發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的價值。 高效能功率轉(zhuǎn)換是IGBT模塊最顯著的技術(shù)特征。通過優(yōu)化溝槽柵結(jié)構(gòu)和減薄晶圓工藝,當(dāng)代IGBT模塊的導(dǎo)通損耗較
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
# 可控硅模塊選型指南:關(guān)鍵參數(shù)與注意事項可控硅模塊作為電力電子領(lǐng)域的核心元器件,在工業(yè)控制、電機(jī)調(diào)速、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。面對市場上琳瑯滿目的型號規(guī)格,如何選擇適合的可控硅模塊成為工程師和技術(shù)人員必須掌握的技能。電壓電流參數(shù)是可控硅模塊選型的首要考慮因素。模塊的額定電壓應(yīng)至少高于實際工作電壓的1.5-2倍,以應(yīng)對電網(wǎng)波動和瞬態(tài)過電壓。電流容量則需根據(jù)負(fù)載特性確定,連續(xù)工作電流不應(yīng)超過模
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護(hù)。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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