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國(guó)芯思辰|SOT23-5線性鋰電池充電器AIP4054在物流箱藍(lán)牙鎖上的應(yīng)用,最大電流可達(dá)500mA?


    國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司專注于MCU,NVSRAM,ADC/DAC等

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  • 國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī),工作結(jié)溫-55~175℃

    氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī),原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī),經(jīng)過(guò)吸氣、壓縮、爆炸、排氣過(guò)程,帶動(dòng)電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備,具有無(wú)噪音、零排放和移動(dòng)性強(qiáng)的特點(diǎn)。其效率要求也非常高,但傳統(tǒng)的功率MOS已經(jīng)很難滿足發(fā)電機(jī)高開(kāi)關(guān)頻率的要求,而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應(yīng)用。某氫能發(fā)電機(jī)項(xiàng)目現(xiàn)需要一漏源電壓1200V,電流80A以上的碳化硅MOS??刹捎没景雽?dǎo)體的B1M0321

  • 國(guó)芯思辰 | BTD21520x用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,絕緣電壓高達(dá)5700Vrms

    電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是在電機(jī)運(yùn)行中通過(guò)控制電機(jī)的旋轉(zhuǎn)角度和運(yùn)轉(zhuǎn)速度,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)占空比的控制來(lái)達(dá)到對(duì)電機(jī)怠速控制的方式。對(duì)于電機(jī)應(yīng)用而言,除了需要挑選適合的電機(jī)類型,驅(qū)動(dòng)控制是電機(jī)提升能效的關(guān)鍵所在,因此,如果能找到一款合適的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,便能夠在開(kāi)發(fā)效率、系統(tǒng)能效、集成度和可靠性等多方面助力電機(jī)方案的設(shè)計(jì)。點(diǎn)擊輸入圖片描述(較多30字)基本半導(dǎo)體BTD21520x是一款雙通道隔離式驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品峰值拉電流達(dá)4.

  • 國(guó)芯思辰|拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C用于伺服系統(tǒng)中存儲(chǔ)MCU數(shù)據(jù),腳位兼容富士通MB85RS128B

    目前在伺服系統(tǒng)的控制端,其組成包括了晶振、FPGA、EEPROM、MCU組成,MCU通過(guò)輸出PWM信號(hào)給IPM模塊來(lái)進(jìn)行對(duì)伺服電機(jī)的控制,伺服電機(jī)的狀態(tài)通過(guò)位置環(huán)、電流環(huán)、速度環(huán)三環(huán)反饋給FPGA中進(jìn)行數(shù)據(jù)分析處理,F(xiàn)PGA將數(shù)據(jù)分析處理完后將信息傳輸給MCU,MCU接收到FPGA中的信息后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理來(lái)輸出相應(yīng)的PWM信號(hào)給到IPM模塊進(jìn)而調(diào)節(jié)電機(jī)。在上述這個(gè)過(guò)程中MCU往往需要處理大量的數(shù)據(jù)

  • 國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

    *5代通信技術(shù)5G頻率越高,穿透和繞射能力會(huì)相對(duì)下降,信號(hào)智能直射傳播,很多偏僻地方就會(huì)收不到信號(hào),微基站很好彌補(bǔ)了這項(xiàng)缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、**功率、覆蓋范圍等方面都相比傳統(tǒng)宏站小得多的低功率基站設(shè)備。微基站電源應(yīng)用場(chǎng)景包括直流遠(yuǎn)供電源、光電一體箱供電、太陽(yáng)能模塊供電、智慧路燈電源等。由上圖可以看出,此款電源設(shè)備主要由4個(gè)單元組成,其中通信模塊和開(kāi)關(guān)電源部分決定了5G微基站運(yùn)行的可靠性。

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