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啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開關(guān)MOSFET芯片CR5268
啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開關(guān)MOSFET芯片CR5268拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):副邊大功率:≤36W內(nèi)置類型: MOS功率管:內(nèi)置功率管耐壓: 650V封裝: SOP-8L/DIP-8L/DIP-7LCR5268主要特點(diǎn):●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開關(guān)應(yīng)力●頻率抖動(dòng)和軟件驅(qū)動(dòng)技術(shù)以達(dá)到好的EMI性能●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開關(guān)應(yīng)力,系統(tǒng)無音頻噪音●能效滿足DOEVI和CoCV5_ T2要求CR5268基本
國內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)
國內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)CR6245 CR6345 系列采用反激式電路拓?fù)?,輸出和輸入高壓使用變壓器隔離。在這種反激拓?fù)渲?,開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器儲(chǔ)存能量,負(fù)載電流由輸出電容提供;開關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器將儲(chǔ)存的能量傳遞到負(fù)載和輸出濾波電容,以補(bǔ)償電容單提供負(fù)載電流所消耗的能量。芯片特點(diǎn): CC/CV 控制,無需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開關(guān) MOSFET低的啟
分析肖特基二管的優(yōu)勢與結(jié)構(gòu)應(yīng)用
分析肖特基二管的優(yōu)勢與結(jié)構(gòu)應(yīng)用? ?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢肖特基二管MBR系列快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用,并能大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二管與普通的PN結(jié)二管不同。是使用N型半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短(10ns以內(nèi))等優(yōu)點(diǎn)。二、肖特基二管結(jié)構(gòu)肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二
常用的技術(shù)參數(shù)與元件參數(shù)的計(jì)算
? ? ? ?常用技術(shù)參數(shù)與元件參數(shù)的計(jì)算1.“電流”預(yù)先估計(jì)輸出功率:+5.0×2=10.0W(max)輸入功率:Pout/ηEst=10.0/0.80=12.5W功率開關(guān)損耗:(12.5-10)×0.4=1.0W續(xù)流二管損耗:(12.5-10)×0.6=1.5W2.輸入平均電流低電壓輸入時(shí):12.5/10=1.25A高電壓輸入時(shí):12.5/14=0.9A
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啟達(dá)高能效PSR+CCM+QR節(jié)能PWM控制器CR6520A
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片CR6900HS SOP-7L 啟達(dá)品牌
智能設(shè)備充電器 CR6213S SOP-8L 啟達(dá)
智能設(shè)備充電器 CR6213A SOP-8L 啟達(dá)
供應(yīng)穩(wěn)壓三極管78L05G-AB3-R(W1) UTC品牌 SOT-89-3
新品推桿電源芯片CR6900HS SOP-7L 啟達(dá)
氮化鎵快充方案150W CR5865AS SOP-8L 啟達(dá)
氮化鎵快充方案65W CR5865DW DFN8*8-8 啟達(dá)品牌
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