二極管和發(fā)光二極管的區(qū)別

時(shí)間：2022-09-24作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：258

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• 熔斷器的使用注意事項(xiàng)

  (1) 熔斷器使用注意事項(xiàng)：①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對象的過載特性相適應(yīng)，考慮到可能出現(xiàn)的短路電流，選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥?。②熔斷器的額定電壓要適應(yīng)線路電壓等級，熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持**級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視

• IGBT模塊該怎樣去選擇呢？

  IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

• IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模

• 西門康IGBT模塊SKM300GB17KE4全新原裝進(jìn)口可控硅/二極管

  ? ? 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動專業(yè)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（英飛凌/Infineon凌、西門康/Semikron，艾塞斯/IXYS、富士/Fuji、三菱/Mitsub