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供應(yīng)原裝正品 LM5111-2MX/NOPB SOP-8 門驅(qū)動(dòng)器IC
描述? ? ??LM5111雙門驅(qū)動(dòng)器以改進(jìn)的峰值輸出電流和效率取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的門驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)包括并行工作的MOS和雙較晶體管,它們一起從電容負(fù)載中吸收**過5-a的峰值。結(jié)合MOS和雙較器件的*特特性,減少了驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。同時(shí),還提供了低電壓鎖定保護(hù)。驅(qū)動(dòng)器可以并行操作與輸入和輸出連接,以雙倍的驅(qū)動(dòng)電流能力。該設(shè)備可在SOIC包或
供應(yīng)全新MS51FB9AE 貼片TSSOP20 兼容替代 N76E003AT20 微控制器
1 概述 MS51為帶有Flash的增強(qiáng)型8位8051內(nèi)核微控制器(1T工作模式),指令集與標(biāo)準(zhǔn)的80C51完全兼容并具備較高效能。 MS51 16K系列內(nèi)嵌18K的Flash存儲(chǔ)區(qū),通常稱作APROM,用于存放用戶程序代碼。該Flash存儲(chǔ)區(qū)支持在應(yīng)用編程(IAP)功能,即可通過片內(nèi)固件較新程序代碼。IAP功能同時(shí)提供用戶可自行配置程序區(qū)域或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。 IAP功能可以對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行讀寫操作,
供應(yīng) FDV301N 絲印301 SOT-23 N溝道 25V/220mA 貼片MOSFET 全新原裝
一般說明 這種n通道邏輯級(jí)增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用仙童的專有的,高電池密度,DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種非常高密度的過程是特別適合于較小化狀態(tài)電阻。該裝置已被特別設(shè)計(jì)用于低壓應(yīng)用,作為數(shù)字晶體管的替代品。由于不需要偏置電阻,這種n通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以用不同的偏置電阻值代替幾個(gè)不同的數(shù)字晶體管。 特征 25V,0.22A連續(xù),0.5A峰值。 RDS(ON)=5W@VGS=2.7V RDS(ON)=4
供應(yīng) ADG1212YRUZ-REEL7 TSSOP16 模擬開關(guān)芯片/多路復(fù)用器 全新原裝
說明 ADG1211/ADG1212/ADG1213是整體互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件,包含四個(gè)根據(jù)iCMOS?(工業(yè)CMOS)工藝CMOS獨(dú)立選擇的開關(guān)。iCMOS是一種結(jié)合高壓CMOS和雙相技術(shù)的模塊化制造工藝。它能夠開發(fā)廣泛的高性能模擬集成電路,能夠33V運(yùn)行,**代高壓設(shè)備無法實(shí)現(xiàn)。 與使用傳統(tǒng)CMOS過程的模擬集成電路不同,iCMOS組件可以忍受高電源電壓,同時(shí)提供較高的性能,顯
聯(lián)系人: 周斯琪
電 話: 13714705290
手 機(jī): 13844481270
微 信: 13844481270
地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)深南中路3024號(hào)航空大廈2507室
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STM8L151F3P6 C8T6 K4T6 G4U6 G6U6 K6T6 F3U6 C6T6 R8T6 C4U6
TPS62822DLCR VSON-8 貼片 絲印:A2 開關(guān)穩(wěn)壓器 原裝**
原裝** TPS389033GQDSERQ1 WSON-6 電源管理監(jiān)控和復(fù)位芯片IC
原裝** LPC54608J512BD208E 封裝LQFP208 NXP處理器MCU芯片IC
原裝** LT1172IS8#TRPBF 封裝:SO-8 開關(guān)電源芯片IC
全新原裝 LM2775DSGR DC-DC電源芯片 升壓轉(zhuǎn)換器 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
INA211AIDCKT 零漂移、高精度、低側(cè)/高側(cè)、電壓輸出電流分流監(jiān)控器 全新原裝
STM32F107VCT6 LQFP-100 ARM微控制器 - MCU 代理現(xiàn)貨 價(jià)格較優(yōu)
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